西安长禾半导体技术有限公司功率器件测试实验室(简称长禾实验室)位于西安市高新技术经济开发区，是一家专业从事功率半导体器件测试服务的高新技术企业，是国家cnas 认可实验室，属于国家大功率器件测试服务中心。
长禾实验室拥有尖端的系统设备、专业的技术团队和完善的服务体系。实验室现有的测试仪器设备100余台套，专业测试人员20余名。我们紧跟国际国内标准，以客户需求为导向，不断创新服务项目和检测技术，借助便利的服务网络，为合作伙伴提供优质高效的技术服务。
长禾实验室专注于功率半导体器件的动、静态参数检测、可靠性检测、失效分析、温循试验、热阻测试等领域的技术服务。业务范围主要涉及国内轨道交通、风力发电、科研单位、工业控制、兵器船舶、航空航天、新能源汽车等行业。也是第三代半导体（宽禁带半导体）应用解决方案服务商。
长禾实验室秉承创新务实的经营理念，为客户提供优质的服务、完善的解决方案及全方位的技术支持；同时注重与行业企业、高校和科研院所的合作与交流，测试技术与服务水平不断提升。长禾实验室检测能力范围1功率金属氧化物场效应管1漏源间反向击穿电压半导体测试方法测试标准 mil-std-750f:2012 3407.1只测： -3.5kv～3.5kv半导体分立器件试验方法 gjb 128a-1997 3407只测： -3.5kv～3.5kv2通态电阻半导体测试方法测试标准 mil-std-750f:2012 3421.1只测： 0～10k?,,0～1500a3阈值电压半导体测试方法测试标准 mil-std-750f:2012 3404只测： -10v～10v4漏极反向电流半导体测试方法测试标准 mil-std-750f:2012 3415.1只测： -100ma～100ma5栅极漏电流半导体测试方法测试标准 mil-std-750f:2012 3411.1只测： -100ma～101ma6体二极管压降半导体测试方法测试标准 mil-std-750f:2012 4011.4只测： 0a～1500a7跨导半导体测试方法测试标准 mil-std-750f:2012 3475.2只测： 1ms～1000s8开关时间半导体测试方法测试标准 mil-std-750f:2012 3472.2只测： vd：5v～3.3kv， id：100ma～1500a9半导体分立器件试验方法 gjb 128a-1997 3472只测： vd：5v～3.3kv， id：100ma～1500a10体二极管反向恢复时间半导体测试方法测试标准 mil-std-750f:2012 3473.1只测： 10ns～2μs11体二极管反向恢复电荷半导体测试方法测试标准 mil-std-750f:2012 3473.1只测： 1nc～100μc12栅极电荷半导体测试方法测试标准 mil-std-750f:2012 3471.3只测： qg：0.5nc～500nc13单脉冲雪崩能量半导体测试方法测试标准 mil-std-750f:2012 3470.2只测： l：0.01mh～159.9mh， ias：0.1a～1500a14栅极串联等效电阻功率mosfet栅极串联等效电阻测试方法 jesd24-11:1996(r2002)只测： 0.1ω～50ω15稳态热阻半导体测试方法测试标准 mil-std-750f:2012 3161.1只测： ph：0.1w～250w16半导体分立器件试验方法 gjb 128a-1997 3161只测： ph：0.1w～250w17输入电容半导体器件 分立器件 第8部分：场效应晶体管 iec 60747-8:2010 6.3.10只测： -3kv～3kv,0～1mhz18输出电容半导体器件 分立器件 第8部分：场效应晶体管 iec 60747-8:2010 6.3.11只测： -3kv～3kv,0～1mhz19反向传输电容半导体器件 分立器件 第8部分：场效应晶体管 iec 60747-8:2010 6.3.12只测： -3kv～3kv,0～1mhz20老炼试验半导体分立器件试验方法 gjb 128a-1997 1042只测： 条件a、条件b， vdsmax：3500v， tjmax：200℃21温度，反偏和操作寿命试验 jesd22-a108f:2017只测： htrb和htgb试验22间歇功率试验半导体分立器件试验方法 gjb 128a-1997 1042只测： 条件d（间歇功率）23稳态功率试验半导体分立器件试验方法 gjb 128a-1997 1042只测： 条件c（稳态功率）2二极管1反向漏电流半导体测试方法测试标准 mil-std-750f:2012 4016.4只测： 0～100ma半导体分立器件试验方法 gjb 128a-1997 4016只测： 0～100ma2反向击穿电压半导体测试方法测试标准 mil-std-750f:2012 4021.2只测： 0～3.5kv3正向压降半导体测试方法测试标准 mil-std-750f:2012 4011.4只测： is：0a～6000a半导体分立器件试验方法 gjb 128a-1997 4011只测： is：0a～6000a4浪涌电流半导体分立器件试验方法 gjb 128a-1997 4066只测： if：0a～9000a5反向恢复电荷半导体测试方法测试标准 mil-std-750f:2012 3473.1只测： 1nc～100μc反向恢复时间半导体测试方法测试标准 mil-std-750f:2012 3473.1只测： 10ns～2us6二极管反压变化率半导体测试方法测试标准 mil-std-750f:2012 3476只测： vr：5v～3300v， if：1a～1500a7单脉冲雪崩能量半导体测试方法测试标准 mil-std-750f:2012 4064只测： l：0.01mh～159.9mh， ias：0.1a～1500a稳态热阻半导体测试方法测试标准 mil-std-750f:2012 3136只测： ph：0.1w～80w8总电容电荷半导体器件 分立器件和集成电路 第2部分:整流二极管 iec 60747-2:2016 6.1.8只测： -3kv～3kv,0～1mhz9结电容半导体器件 分立器件和集成电路 第2部分:整流二极管 iec 60747-2:2016 6.1.8只测： -3kv～3kv,0～1mhz3晶闸管1门极触发电流半导体测试方法测试标准 mil-std-750f:2012 4221.1只测： 100na～500ma2门极触发电压半导体测试方法测试标准 mil-std-750f:2012 4221.1只测： 5mv～5v3维持电流半导体测试方法测试标准 mil-std-750f:2012 4201.2只测： 10μa～1.5a4擎住电流半导体测试方法测试标准 mil-std-750f:2012 4201.2只测： 10μa～1.5a5浪涌电流半导体测试方法测试标准 jb/t 7626-2013只测： itsm：0a～9000a6正向漏电流半导体测试方法测试标准 mil-std-750f:2012 4206.1只测： 1na～100ma7反向漏电流半导体测试方法测试标准 mil-std-750f:2012 4211.1只测： 1na～100ma8正向导通压降半导体测试方法测试标准 mil-std-750f:2012 4226.1只测： it：0～6000a9稳态热阻半导体测试方法测试标准 mil-std-750f:2012 3181只测： ph：0.1w～250w4晶体管1直流增益半导体测试方法测试标准 mil-std-750f:2012 3076.1只测： 1～500002集射极饱和压降半导体测试方法测试标准 mil-std-750f:2012 3071只测： 0～1250a3集射电极关态电流半导体测试方法测试标准 mil-std-750f:2012 3041.1只测： 0～100ma4集基电极关态电流半导体测试方法测试标准 mil-std-750f:2012 3036.1只测： 0～100ma5射基极关态电流半导体测试方法测试标准 mil-std-750f:2012 3061.1只测： 0～100ma6集射极反向击穿电压半导体测试方法测试标准 mil-std-750f:2012 3011.2只测： -3.5kv～3.5kv半导体分立器件试验方法 gjb 128a-1997 3011只测： -3.5kv～3.5kv7集基极反向击穿电压半导体测试方法测试标准 mil-std-750f:2012 3001.1只测： -3.5kv～3.5kv8射基极反向击穿电压半导体测试方法测试标准 mil-std-750f:2012 3026.1只测： -3.5kv～3.5kv9基射极电压半导体测试方法测试标准 mil-std-750f:2012 3066.1只测： 0v～1250a10稳态热阻半导体测试方法测试标准 mil-std-750f:2012 3131.6只测： ph：0.1w～250w5绝缘栅双极型晶体管1集射间反向击穿电压半导体测试方法测试标准 mil-std-750f:2012 3407.1只测： -3.5kv～3.5kv半导体分立器件试验方法 gjb 128a-1997 3407只测： -3.5kv～3.5kv2通态电压半导体测试方法测试标准 mil-std-750f:2012 3405.1只测： 0～1500a3通态电阻半导体测试方法测试标准 mil-std-750f:2012 3421.1只测： 0～10k?4集电极反向漏电流半导体测试方法测试标准 mil-std-750f:2012 3415.1只测： 0～100ma5栅极漏电流半导体测试方法测试标准 mil-std-750f:2012 3411.1只测： 0～100ma6跨导半导体测试方法测试标准 mil-std-750f:2012 3475.2只测： 1ms～1000s7开关时间&损耗半导体测试方法测试标准 mil-std-750f:2012 3477.1只测： vd：5v～3.3kv， id：0.5a～1500a半导体器件 分立器件 第9部分：绝缘栅双极晶体管 iec 60747-9:2007 6.3.11,6.3.12只测： 5v～3.3kv8短路耐受时间半导体测试方法测试标准 mil-std-750f:2012 3479只测： isc：10a～5000a ， tsc：1us～50us半导体器件 分立器件 第9部分：绝缘栅双极晶体管 iec 60747-9:2007 6.2.6只测： 5v～3.3kv9栅极电荷半导体测试方法测试标准 mil-std-750f:2012 3471.3只测： qg：0.5nc～100uc半导体器件 分立器件 第9部分：绝缘栅双极晶体管 iec 60747-9:2007 6.3.9只测： 5v～3.3kv10二极管反向恢复时间半导体器件 分立器件 第2部分：整流二极管 iec 60747-2:2016 6.1.6只测： 5v～3.3kv11单脉冲雪崩能量半导体测试方法测试标准 mil-std-750f:2012 3470.2只测： l：0.01mh～159.9mh， ias：0.1a～1500a12栅极串联等效电阻功率mosfet栅极串联等效电阻测试方法 jesd24-11:1996(r2002)只测： 0.1ω～50ω13稳态热阻半导体测试方法测试标准 mil-std-750f:2012 3103只测： ph：0.1w～250w16输入电容半导体器件 分立器件 第9部分：绝缘栅双极晶体管 iec 60747-9:2007 6.3.6只测： -3kv～3kv,0～1mhz17输出电容半导体器件 分立器件 第9部分：绝缘栅双极晶体管 iec 60747-9:2007 6.3.7只测： -3kv～3kv,0～1mhz18反向传输电容半导体器件 分立器件 第9部分：绝缘栅双极晶体管 iec 60747-9:2007 6.3.8只测： -3kv～3kv,0～1mhz19大反偏安全工作区半导体器件 分立器件 第9部分：绝缘栅双极晶体管 iec 60747-9:2007 6.2.5只测： 5v～3.3kv6通用电子产品1高低温循环试验半导体分立器件试验方法 gjb 128a-1997 1051只测： 温度： -80℃～150℃， 容积： 40cm×37.5cm×40cm温度循环 jesd22-a104e:2014只测： 温度： -80℃～150℃， 容积： 40cm×37.5cm×40cm2高温试验微电子器件试验方法和程序 gjb 548b-2005 1008.1只测： 高温度：200℃， 容积： 61cm×90cm×60cm半导体分立器件试验方法 gjb 128a-1997 1031, 1032只测： 高温度：200℃， 容积： 61cm×90cm×60cm电工电子产品环境试验 第2部分：试验方法 试验b：高温 gb/t 2423.2-2008只测： 高温度：200℃， 容积： 61cm×90cm×60cm3低温试验电工电子产品环境试验 第2部分：试验方法 试验a：低温 gb/t 2423.1-2008只测： 低温度：-70℃， 容积： 40cm×37.5cm×40cm4高温存储寿命试验高温存储寿命试验 jesd22-a103e:2015只测： 高温度：180℃， 容积： 58cm×76cm×75cm5低温存储寿命试验低温存储寿命试验 jesd22-a119a:2015只测： 低温度：-70℃， 容积： 40cm×37.5cm×40cm