功率金属氧化物场效应管1漏源间反向击穿电压半导体测试方法测试标准 mil-std-750f:2012 3407.1只测： -3.5kv～3.5kv半导体分立器件试验方法 gjb 128a-1997 3407只测： -3.5kv～3.5kv2通态电阻半导体测试方法测试标准 mil-std-750f:2012 3421.1只测： 0～10k?,,0～1500a3阈值电压半导体测试方法测试标准 mil-std-750f:2012 3404只测： -10v～10v4漏极反向电流半导体测试方法测试标准 mil-std-750f:2012 3415.1只测： -100ma～100ma5栅极漏电流半导体测试方法测试标准 mil-std-750f:2012 3411.1只测： -100ma～101ma6体二极管压降半导体测试方法测试标准 mil-std-750f:2012 4011.4只测： 0a～1500a7跨导半导体测试方法测试标准 mil-std-750f:2012 3475.2只测： 1ms～1000s8开关时间半导体测试方法测试标准 mil-std-750f:2012 3472.2只测： vd：5v～3.3kv， id：100ma～1500a9半导体分立器件试验方法 gjb 128a-1997 3472只测： vd：5v～3.3kv， id：100ma～1500a10体二极管反向恢复时间半导体测试方法测试标准 mil-std-750f:2012 3473.1只测： 10ns～2μs11体二极管反向恢复电荷半导体测试方法测试标准 mil-std-750f:2012 3473.1只测： 1nc～100μc12栅极电荷半导体测试方法测试标准 mil-std-750f:2012 3471.3只测： qg：0.5nc～500nc13单脉冲雪崩能量半导体测试方法测试标准 mil-std-750f:2012 3470.2只测： l：0.01mh～159.9mh， ias：0.1a～1500a14栅极串联等效电阻功率mosfet栅极串联等效电阻测试方法 jesd24-11:1996(r2002)只测： 0.1ω～50ω15稳态热阻半导体测试方法测试标准 mil-std-750f:2012 3161.1只测： ph：0.1w～250w16半导体分立器件试验方法 gjb 128a-1997 3161只测： ph：0.1w～250w17输入电容半导体器件 分立器件 第8部分：场效应晶体管 iec 60747-8:2010 6.3.10只测： -3kv～3kv,0～1mhz18输出电容半导体器件 分立器件 第8部分：场效应晶体管 iec 60747-8:2010 6.3.11只测： -3kv～3kv,0～1mhz19反向传输电容半导体器件 分立器件 第8部分：场效应晶体管 iec 60747-8:2010 6.3.12只测： -3kv～3kv,0～1mhz20老炼试验半导体分立器件试验方法 gjb 128a-1997 1042只测： 条件a、条件b， vdsmax：3500v， tjmax：200℃21温度，反偏和操作寿命试验 jesd22-a108f:2017只测： htrb和htgb试验22间歇功率试验半导体分立器件试验方法 gjb 128a-1997 1042只测： 条件d（间歇功率）23稳态功率试验半导体分立器件试验方法 gjb 128a-1997 1042只测： 条件c（稳态功率）