检测项目
覆盖产品
检测能力
参考标准
功率循环试验（pc）
igbt模块
δtj=100℃ 电压电流大1800a 12v
iec 客户自定义
高温反偏试验（htrb）
mosfet、igbt、diode、bjt、scr，第三代半导体器件等单管器件
温度高150℃； 电压高2000v
美军标，国标，jedec，iec，aec,客户自定义等
高温门极试验（htgb）
mosfet、sic mos等单管器件
温度高150℃； 电压高2000v
美军标，国标，jedec，iec，aec,客户自定义等
高温工作寿命试验（htol）
mosfet、igbt、diode、bjt、scr、ic、第三代半导体器件等单管器件
温度高150℃ 电压高2000v
美军标，国标，jedec，iec，aec,客户自定义等
低温工作寿命试验（ltol）
mosfet、igbt、diode、bjt、scr、ic、第三代半导体器件等单管器件
温度低-80℃ 电压高2000v
美军标，国标，jedec，iec，aec,客户自定义等
高温储存试验（htsl）
mosfet、igbt、diode、bjt、scr、ic、igbt模块、第三代半导体器件等产品及其他电子产品
温度高150℃；
美军标，国标，jedec，iec，aec,客户自定义等
低温储存试验（ltsl）
mosfet、igbt、diode、bjt、scr、ic、igbt模块、第三代半导体器件等产品及其他电子产品
温度低-80℃
美军标，国标，jedec，iec，aec,客户自定义等
高温高湿试验（thb）
mosfet、igbt、diode、bjt、scr、ic、igbt模块、第三代半导体器件等产品及其他电子产品
温度高180℃ 湿度范围：10%~98%
美军标，国标，jedec，iec，aec,客户自定义等
高低温循环试验（tc）
mosfet、igbt、idiode、bjt、scr、ic、igbt模块、第三代半导体器件等产品及其他电子产品
温度范围：-80℃~220℃
美军标，国标，jedec，iec，aec,客户自定义等
间歇寿命试验（iol）功率循环试验（pc）
mosfet、diode、bjt、igbt及第三代半导体器件等单管器件
δtj≧100℃ 电压电流大48v，10a
美军标，国标，jedec，iec，aec,客户自定义等
稳态功率试验（ssol）
mosfet、diode、bjt、igbt及第三代半导体器件等单管器件
δtj≧100℃ 电压电流大48v，10a
美军标，国标，jedec，iec，aec,客户自定义等
高加速应力试验（hast）
mosfet、diode、bjt、igbt及第三代半导体器件等产品及其他电子产品
温度130℃/110℃ 湿度85%
美军标，国标，jedec，iec，aec,客户自定义等
*无偏压的高加速应力试验（uhast）
mosfet、diode、bjt、igbt及第三代半导体器件等产品及其他电子产品
温度130℃ 湿度85%
美军标，国标，jedec，iec，aec,客户自定义等
高温蒸煮试验（pct）
mosfet、diode、bjt、igbt及第三代半导体器件等产品及其他电子产品
温度121℃ 湿度
美军标，国标，jedec，iec，aec,客户自定义等
预处理试验（pre-con）
所有smd类型器件
设备满足各个等级的试验要求
美军标，国标，jedec，iec，aec,客户自定义等
潮气敏感度等级试验（msl）
所有smd类型器件
设备满足各个等级的试验要求
美军标，国标，jedec，iec，aec,客户自定义等
*可焊性试验（solderability）
mosfet、igbt、diode、bjt、scr、ic、第三代半导体器件等单管器件
有铅、无铅均可进行
美军标，国标，jedec，iec，aec,客户自定义等